细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
2氧化硅的深加工艺
半导体工艺(二)保护晶圆表面的氧化工艺 三星半导体官网
2022年2月14日 其中,最常用的方法是热氧化 法,即在800~1200°C的高温下形成一层薄而均 匀的硅氧化膜。 根据氧化反应所使用的气体,热氧化法可分为干 氧化(Dry Oxidation)和湿 2007年12月29日 MEMS利用传统的机械加工工艺、半导体硅微机械 加工工艺和软X 射线深层光刻电铸成型工艺等来 制作微尺度的机械、流体、电子、光学及其它一些器微电子机械系统及硅微机械加工工艺 CORE
第四讲 深硅反应离子刻蚀（DRIE）原理与应用 先进电子
2022年5月31日 腾讯会议 【讲座主题】第四讲 深硅反应离子刻蚀（DRIE）原理与应用 【讲座时间】2022年5月31日 (周二) 19:0020:30 【报告人】Mr Ron Lee (Acting service 对硅和碳化硅材料来说，二氧化硅的形成方法 主要有热氧化、LPCVD 和 PECVD 等， 热 氧 化 形 成 的二氧化硅由于是从本底 材料 上 氧 化 形 成， 如图 1 所示，故在本底与氧化 TEOSLPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用百度文库
基于微桌面加工系统的深硅刻蚀工艺研究 百度学术
基于微桌面加工系统的深硅刻蚀工艺研究 反应离子刻蚀 (RIE)作为微加工技术中的核心工艺环节,对半导体器件制造有着重要影响。 其外延的深反应离子刻蚀 (DRIE)结合了物理和 2014年1月15日 利用反应等离子刻蚀技术对SiO 2 进行干法刻蚀, 研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀面粗糙度、刻蚀均匀性等的影响。分析得出了刻蚀侧壁角度 氧化硅RIE刻蚀工艺研究
2氧化硅的深加工艺
2009年4月3日 机械加工中常用的腐蚀、键合、光刻、氧化、扩散、 32 半导体硅微机械加工方法 以美国为代表的半体微加工技术主要通过对硅的深腐蚀和硅片的整体键合2022年6月16日 将清洁、干燥后的块料投入熔炼炉中，接通硅碳棒电源，经过高温熔炼约 10小时后(18002000℃），出炉急冷破碎，再精纯化酸洗、脱酸、去离子水清洗、干燥等工序，制成无定型硅微粉的原材料。 五、硅微粉的深加工 1、硅微粉的制备及提纯工艺流程 硅微粉的生产工艺及深加工——汇精硅材料技术部
表面硅MEMS加工技术 百度百科
表面硅 MEMS 加工工艺主要是以不同方法在衬底表面加工不同的薄膜，并根据需要事先在薄膜下面已确定的区域中生长牺牲层。 这些都需要制膜工艺来完成。制膜的方法有很多，如 蒸镀、溅射 等物理气相淀积法（ PVD ）、化学气相淀积法（ CVD ）以及外延和氧化等。2013年9月27日 感应耦合等离子体(ICP) 刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS 公司STS Multiplex 刻蚀机，研究了ICP 刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/ 钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形 ICP深硅刻蚀工艺研究 真空技术网
深紫外拉曼研究氧化硅：硅衬底上薄膜材料和体材料 北京丰
2024年6月2日 本文不仅研究了硅衬底上的薄氧化层，也比较了，使用深紫外光时，体硅产生的拉曼光谱与硅氧化层产生的拉曼光谱。 2 、实验： 在拉曼光谱研究之前，介电层使用TEM、光谱椭偏仪、紫外可见近红外光谱仪进行表征。 TEM样品制备，通过传统的横截面 2022年10月21日 2、氧化工艺方法 氧化工艺方法包括通过热的热氧化(Thermal Oxidation)、化学气相沉积氧化(Chemical Vapor Deposition)和电化学氧化(Electrochemical Oxidation)。 其中最常用的方法是热氧化方法，在高温下形成均匀而且薄薄的硅氧化膜。 这些热氧化方法根据用于氧化反应的 关于半导体工艺，这点你要知道：（2）氧化（Oxidation）工艺
MEMS中硅湿法深槽刻蚀工艺的研究pdf 豆丁网
2012年11月7日 MEMS中硅湿法深槽刻蚀工艺的研究电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都)摘要针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺。对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀速率及表面 2013年9月23日 基于Ebara的氧化硅CMP机械刮伤机理的分析与解决措施基于Ebara的氧化硅CMP机械割伤机理的分析与解决措施上海交通大学微电子学院2上海先进半导体制造有限公司)摘要:化学机械抛光 (CMP,chemiCalmechaniCalpolishing)是当前广泛用于半导体制造035um产品及以下工艺产品中的 【doc】基于Ebara的氧化硅CMP机械刮伤机理的分析与解决措施
第二章氧化工艺PPT课件 百度文库
第二章氧化工艺PPT课件 化学反应非常简单，但氧化机理并非如此，因为一旦在 硅表面有二氧化硅生成，它将阻挡O2原子或H2O与Si原 子直接接触，所以其后的继续氧化是O2原子或H2O通过 扩散穿过已生成的二氧化硅层，向Si一侧运动到达界面 进行反应而增厚的 2023年3月10日 2022年全球及中国气相二氧化硅行业分析，有机硅深加工产业发展迅速，推动行业规模持续扩张「图」 一、概述 1、定义 气相二氧化硅即气相法二氧化硅，俗称气相法白炭黑，是由硅的卤化物（主要是一甲基三氯硅烷、四氯化硅或三氯氢硅）在氢氧火焰中高 2022年全球及中国气相二氧化硅行业分析，有机硅深加工
全能型选手！纳米二氧化硅在16个领域的应用速览百科资讯
2022年8月27日 目前， 纳米二氧化硅 主要应用在以下领域： 纳米二氧化硅 1、在电子封装材料中的应用 高纯球形纳米SiO 2 作为一种新型紧缺矿物材料，由于其具有高介电、高耐热、高耐湿、高填充量、低膨胀、低应力、低杂质、低摩擦系数等优越性能，在电子、电器等诸 2024年1月29日 主导设计完成落地的工业工程化典型项目： （1）180万吨纳米碳酸钙深加工项目，湖北黄岗 （2）10万吨纳米碳酸钙、20万吨高比表面积氢氧化钙、100万吨氧化钙深加工项目，广西玉林 （3）5万吨纳米碳酸钙、10万吨氢氧化钙深加工项目，河北邯郸不同窑型煅烧氧化钙对碳酸钙深加工生产工艺影响 中国粉体网
【学术论文】基于CMOSMEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀
2018年10月19日 摘要： 为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求，对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。 在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中，需要加工一种深宽比为25 μm/08 μm的隔离深槽，并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的 2023年5月12日 刻蚀关键工艺：大马士革极高深宽比。 新电子材料的集成和加工器件尺寸的不断缩小为刻蚀设备带来了新的技术挑战，同时对性能的要求（刻蚀 均匀性、稳定性和可靠性）越来越高。 分别从逻辑器件和存储器件的技术演进路线看刻蚀工艺应用：在28纳米及 半导体行业专题报告：刻蚀工艺双子星，大马士革＆极高深宽比
以氟硅酸制备高纯石英砂的技术与工艺 百度文库
摘 要 介 绍 了从 氟硅 酸 里提 取 二氧 化 硅 的 几种 方 法 ， 并 对此 类二 氧 化 硅 制 备 高 纯 石 英砂 的 技 术 进 行 了深 入 研 究 ， 提 出 了 制 造 粒 度 可 控 的 高 纯 石 英 砂 的 工 艺路 线 ； 从分析 结果看 ， 这 种 化 学合 成 的 高纯 石 英 砂 完 全 2000年12月20日 代和第二代多晶硅生产流程中, H 2 和HCl的分离可以用水洗法, 并得到盐酸。 而第三代多晶硅生产流程 (图3) 中不能用水洗法, 因为这里要求得到干燥的HCl。为此, 用活性炭吸附法或冷SiCl 4 溶解HCl法回收, 所得到的干燥的HCl又进入流床反应器与冶金级硅 电子级多晶硅的生产工艺 CAE
半导体工艺设备(一)：晶圆片制造
2024年3月30日 存量大： 硅是地球上第二丰富的元素，占到地壳成分的25%。 高熔点允许更宽的工艺容限 ：硅1412℃的熔点远高于锗材料937℃的熔点，更高的熔点使得硅可以承受高温工艺。 硅材料更宽的工作温度范围； 氧化硅（SiO2）的自然生长 ：SiO2是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层 3 天之前 公司拥有亲水性气相二氧化硅和疏水性气相二氧化硅两大系列产品，也可批量生产气相二氧化钛及气相三氧化二铝。 改性气相法纳米二氧化硅 公司设立了中国氟硅行业气相二氧化硅创新孵化基地和省级企业技术中心，和全世界最大的高分子学院—四川大学高分子学院共同成立了功能纳米粉体材料 国内外15家二氧化硅生产企业介绍 艾邦高分子 艾邦智造官网
半导体制造流程（四）硅淀积和刻蚀淀积多晶硅CSDN博客
2023年6月12日 文章浏览阅读456次。如下图，将晶圆装在一个感应加热承载块上，通二氯硅烷和氢气，并在晶圆表面发生反应，并形成一层生长缓慢的单晶硅，无须抛光工艺。光刻多晶硅首先采用类似于外延的设备在晶圆上淀积多晶硅，然后再晶圆上涂上光刻胶，光刻并且刻蚀以选择性地去除多晶硅，现代工艺中 集成电路工艺原理试题总体答案 化学气相淀积，简称CVD,是集成电路工艺中用来制备薄膜的一种方法，这种方法是把含有薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸汽，以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底表面淀积薄膜 35化学气相淀积 集成电路工艺原理试题总体答案 百度文库
二氧化硅晶体类型合集 百度文库
二氧化硅 晶体结构 二氧化硅是一种化学式为 SiO2 的化合物，也被称为硅石或水晶。 它是一种广泛存在于地球上的物质，它是许多岩石和矿物的主要成分 之一，也是许多生物体内的重要成分。 在电子学和光学领域，二氧化 硅也是一种非常重要的材料 （完整版）MEMS的主要工艺类型与流程（2）MEMS的发展始于20世纪60年代，是微电子和微机械的巧妙结合。 MEMS的基础技术主要包括硅各向异性刻蚀技术、 硅/硅键合技术、表面微机械技术、LIGA技术等，已成为研制生产MEMS必不可少的核心技术。（完整版）MEMS的主要工艺类型与流程 百度文库
硅化物掩蔽层工艺流程的优化——深紫外光为曝光光源的条件
2014年3月24日 表卜l潜在的金属硅化物材料选择表 硅化物掩蔽层工艺流程的优化表卜2金属硅化物的特性 下面以钴与硅反应形成硅化钴的流程为例对金属硅化物的制程进行说明： 在0．18微米至0．13微米的T艺流程中，自动对准硅化工艺包括于栅电极侧壁 绝缘层腐蚀及知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
如何调控BOSCH工艺深硅刻蚀？影响深硅刻蚀的关键参数有
2024年2月25日 影响深硅刻蚀的关键 参数 有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。 硅刻蚀与氧化硅、氮化硅等材料的刻蚀方式存在差异，氧化硅和氮化硅倾向于物理轰击刻蚀，表现为各向异性。 相反，硅的刻蚀倾向于通过氟自由基的化学反应为 2018年9月21日 212 玻璃成分设计原则 具体地首先:根据玻璃制品的物理化学性能和工艺性能,选择合适的氧化物系统,确定34 种总量达90%左右的主要氧化物含量。 利用相图或玻璃形成区图选择组成点时,组成点接近低共熔点或相界线,远离析晶区,以降低玻璃的析晶倾向。 材料工艺学 Zhejiang University
用于MEMS封装的深硅刻蚀工艺研究 百度学术
摘要： 随着MEMS技术的发展,MEMS器件上的微结构从之前单一的表面结构向更为复杂的三维空间立体结构加工方法发展,高深宽比结构的加工则是其中一个重要的方向深硅刻蚀技术作为高深宽比结构的加工方法已成为国内外的研究热点由Robert Bosch公司持有专利的 2022年8月17日 设备型号：SPTS Omega LPX Rapier 50微米图形尺寸 400微米深快速深硅刻蚀形貌图 1、25微米线宽 75微米深的硅槽刻蚀工艺案例设备名称：硅深刻蚀系统设备型号：SPTS Omega LPX Rapier25微米线宽 75微米深的硅槽刻蚀形貌图2、直径5微米 50微米深小孔的刻蚀工艺案例设备名称 硅深刻蚀工艺清华大学微纳加工中心 Tsinghua University
硅基自屏蔽式 带通滤波器 Beijing Institute of Technology
2017年10月16日 的连通硅空腔结构以及通孔结构的尺寸,特别是 陡直度以及侧壁粗糙度,将会直接影响滤波器的性 能因此,实现对深反应离子刻蚀效果的控制,是工 艺加工的难点 采用AZ4620型正性光刻胶作为刻蚀掩膜层,通 过精细调整深反应离子刻蚀工艺中刻蚀气体SF6与 2023年6月13日 32、氧化物去除 如图，步是在晶圆表面生长氧化层，然后用甩胶的方法将光刻胶涂在晶圆上，随后用烘箱烘除全部溶剂并使光刻胶变硬易于处理，在光刻曝光之后，向晶圆喷射溶剂溶解曝光的光刻胶区域露出消耗的氧化物对晶圆进行显影，已经光刻的光刻 半导体制造流程（二）氧化物生长和去除氧化物刻蚀CSDN博客
【全景解析】硅微粉的性能、用途及深加工专题资
2021年2月7日 1、硅微粉的性能 硅微粉除了具备热膨胀系数低、介电性能优异、导热系数高、悬浮性能好等优良性能以外，同时还具备以下性能： （1）具有良好的绝缘性：由于硅微粉纯度高，杂质含量低，性能稳定， 光伏玻璃的生产过程主要包括原材料配置、窑炉的熔制、成 型、退火和后加工等步骤。 1 加工工序的简介 光伏玻璃加工工序包括：原片切割、短边研磨、长边研磨、 安全角研磨、清洗干燥、钢化和钢化清洗等。 （1）玻璃切割是玻璃深加工过程中的道工序 光伏玻璃深加工工艺流程合集 百度文库
【科普】一文了解TSV工艺及设备 电子工程专辑 EE Times
2023年2月20日 本文笔者在综述 TSV 的工艺流程和关键技术基础上 , 对其中深孔刻蚀、气相沉积、通孔填充、 化学机械抛光（CMP）等几种关键工艺设备进行了详细介绍，对在确保满足生产工艺要求的前提下不同设备的选型应用及对设备安装的厂 务需求提出了相关建 f421热氧化工艺 热氧化的设备主要有：水平式 (6英寸以下的硅片)和直立 式 (8英寸以上的硅片)两种。 高温氧化炉由四部分组成：炉体、加热控温系统、石英 炉管、气体控制系统。 适用范围： 氧化温度700～1300 oC； 局部压强01~25个大气压； 氧化层厚度为20 微电子制造工艺概论ch4热氧化 百度文库
TSV 关键工艺设备特点及国产化展望 艾邦半导体网
2 天之前 气相沉积设备主要用于薄膜电路表面的高低频低应 力氧化硅等薄膜淀积。设备具有低温 TEOS 工艺沉积氧化 硅薄膜，应力易调控，适用于薄膜电路制造中保护膜层 的沉积。设备应具有预真空室、基片传送模块以及工艺 模块等，传片及工艺过程自动化。半导体制造技术—第四讲：淀积工艺半导体知识人连续加工的APCVD 反应炉反应气体 1 惰性分隔气体 膜 反应气体 2 硅片半导体知识人膜对台阶的覆盖我们期望膜在硅片表面上厚度一致，但由 于硅片表面台阶的存在，如果淀积的膜在台阶 上过渡的变薄，就容易 半导体制造技术—第四讲：淀积工艺 百度文库
气相法改性纳米二氧化硅表面
2018年5月14日 机分子的相容性和结合力, 改善加工工艺。本实验 所采用的A2151(乙烯基三乙氧基硅烷) 改性纳米二 氧化硅, 在生产过程中不仅不会产生有害、腐蚀性 物质, 而且制造出的产品在性能上具有很好的疏 水性。1 改性原理 偶联剂与纳米SiO2 颗粒表面的连接主要有两 22009年9月6日 SiO2薄膜制备的现行方法综述 (2) 直流和中频反应磁控溅射制备SiO 2 膜时，只能用单晶硅作为靶材，当要选用高纯石英作为靶材时，就只能采用射频磁控溅射法。 长期以来，磁控溅射法制备SiO 2 一般采用射频溅射工艺， 通入纯度为9999% 氧气和纯度为9999%氩气的 SiO2薄膜制备的现行方法综述(2) 真空技术网
国金证券股份有限公司 关于 湖北汇富纳米材料股份有限公司
2022年6月24日 二氧化钛的企业。 公司主要的核心技术情况如下： 序 号 核心 技术 名称 主要专利 技术来源 应用及效果 对应产品 技术 阶段 1 气相二 氧化硅 制备工 艺技术 气体喷嘴、气体反应设备及气体水解 反应方法(发明专利： ZL02) 自主研发 应用于气相2022年6月16日 将清洁、干燥后的块料投入熔炼炉中，接通硅碳棒电源，经过高温熔炼约 10小时后(18002000℃），出炉急冷破碎，再精纯化酸洗、脱酸、去离子水清洗、干燥等工序，制成无定型硅微粉的原材料。 五、硅微粉的深加工 1、硅微粉的制备及提纯工艺流程 硅微粉的生产工艺及深加工——汇精硅材料技术部
ICP深硅刻蚀工艺研究 真空技术网
2013年9月27日 感应耦合等离子体(ICP) 刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS 公司STS Multiplex 刻蚀机，研究了ICP 刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/ 钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形 2024年6月2日 本文不仅研究了硅衬底上的薄氧化层，也比较了，使用深紫外光时，体硅产生的拉曼光谱与硅氧化层产生的拉曼光谱。 2 、实验： 在拉曼光谱研究之前，介电层使用TEM、光谱椭偏仪、紫外可见近红外光谱仪进行表征。 TEM样品制备，通过传统的横截面 深紫外拉曼研究氧化硅：硅衬底上薄膜材料和体材料 北京丰
关于半导体工艺，这点你要知道：（2）氧化（Oxidation）工艺
2022年10月21日 2、氧化工艺方法 氧化工艺方法包括通过热的热氧化(Thermal Oxidation)、化学气相沉积氧化(Chemical Vapor Deposition)和电化学氧化(Electrochemical Oxidation)。 其中最常用的方法是热氧化方法，在高温下形成均匀而且薄薄的硅氧化膜。 这些热氧化方法根据用于氧化反应的 2012年11月7日 MEMS中硅湿法深槽刻蚀工艺的研究电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都)摘要针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺。对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,掩膜技术等进行了实验研究,优化得到了 MEMS中硅湿法深槽刻蚀工艺的研究pdf 豆丁网
【doc】基于Ebara的氧化硅CMP机械刮伤机理的分析与解决措施
2013年9月23日 基于Ebara的氧化硅CMP机械刮伤机理的分析与解决措施基于Ebara的氧化硅CMP机械割伤机理的分析与解决措施上海交通大学微电子学院2上海先进半导体制造有限公司)摘要:化学机械抛光 (CMP,chemiCalmechaniCalpolishing)是当前广泛用于半导体制造035um产品及以下工艺产品中的 第二章氧化工艺PPT课件 化学反应非常简单，但氧化机理并非如此，因为一旦在 硅表面有二氧化硅生成，它将阻挡O2原子或H2O与Si原 子直接接触，所以其后的继续氧化是O2原子或H2O通过 扩散穿过已生成的二氧化硅层，向Si一侧运动到达界面 进行反应而增厚的 第二章氧化工艺PPT课件 百度文库
2022年全球及中国气相二氧化硅行业分析，有机硅深加工
2023年3月10日 2022年全球及中国气相二氧化硅行业分析，有机硅深加工产业发展迅速，推动行业规模持续扩张「图」 一、概述 1、定义 气相二氧化硅即气相法二氧化硅，俗称气相法白炭黑，是由硅的卤化物（主要是一甲基三氯硅烷、四氯化硅或三氯氢硅）在氢氧火焰中高
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